Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 28 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 24 mΩ a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V a 4 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 600 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 30 pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 112 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | TO-220 FullPAK |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFIZ34NPBF pode suportar?
A tensão máxima Drain: Source (Vds) suportada pelo IRFIZ34NPBF é de 60 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFIZ34NPBF?
O IRFIZ34NPBF pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Quais são as principais características elétricas do IRFIZ34NPBF?
O IRFIZ34NPBF possui uma corrente contínua Drain (Id) de 28 A, resistência Drain: Source (Rds(on)) de 24 mΩ a 10V, tensão Gate: Source (Vgs) de ±20 V, e tensão de Limiar Gate: Source (Vgs(th)) entre 2 V e 4 V.