Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Encapsulamento | Plástico |
| Temperatura de operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain pulsada (Id, pulse) | 240 A |
| Carga de Gate (Qg) | 58 nC a Vgs = 10V |
| Tempo de subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de descida (tf) | 7 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFI4229PBF?
O IRFI4229PBF possui encapsulamento em plástico, dentro do package TO-220 FullPAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFI4229PBF?
O IRFI4229PBF pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que o IRFI4229PBF pode suportar no Gate?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRFI4229PBF é de ±20 V.