Descrição
MOSFET de canal N de alta eficiência da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (typ.) |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Package | SuperSO8 (PQFN 5×6) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | 8 pinos |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, conversores DC-DC |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFH7914TRPBF?
O IRFH7914TRPBF possui encapsulamento SuperSO8 (PQFN 5×6) com 8 pinos.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFH7914TRPBF?
A temperatura de operação do IRFH7914TRPBF varia de -55 °C a +175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IRFH7914TRPBF?
O IRFH7914TRPBF é projetado para aplicações como gerenciamento de energia, fontes de alimentação e conversores DC-DC.