Infineon IRFH5406TRPBF

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MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

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Descrição

MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

Especificações

Tecnologia OptiMOS™ 5
Tipo de Canal N-Channel
Tensão Drain Source (Vds): 60V
Corrente Contínua de Drain (Id) 130A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 4.9mOhm @ Vgs=10V
Tensão de Threshold Gate Source (Vgs(th)): 2V
Corrente de Gate Source Máxima (Vgs): ±20V
Package DirectFET™
Temperatura de Operação -55°C a +175°C

Recursos

  • RoHS Compliant

FAQ

Qual a tensão máxima que o IRFH5406TRPBF suporta?

O IRFH5406TRPBF suporta uma tensão Drain: Source (Vds) de 60V.

Em qual faixa de temperatura o IRFH5406TRPBF opera?

O IRFH5406TRPBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.

O IRFH5406TRPBF é compatível com RoHS?

Sim, o IRFH5406TRPBF é RoHS Compliant.

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