Infineon IRFH5406TRPBF: MOSFET de Potência de Alta Performance
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o IRFH5406TRPBF da Infineon, um componente de alta qualidade que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas:
- Tipo de MOSFET: Canal N
- Tensão de Drain-Source (Vds): 60V
- Corrente de Dreno Contínua (Id): 40A
- Resistência Drain-Source (Rds(on)): 14.4mΩ
- Carga de Porta (Qg): 23nC
- Tempo de Subida (tr): 8.7ns
- Tempo de Descida (tf): 3.5ns
- Dissipação de Potência (Pd): 46W
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
- Encapsulamento: PQFN-8
Características Principais:
O IRFH5406TRPBF é um MOSFET de potência HEXFET® de canal N que se destaca por suas características avançadas, como:
- Baixa resistência Rds(on), resultando em menores perdas de condução.
- Baixa carga de porta, proporcionando comutação rápida e eficiente.
- Alta capacidade de corrente, tornando-o ideal para aplicações de alta potência.
- Encapsulamento PQFN-8 compacto, permitindo alta densidade de potência.
- Excelente desempenho térmico, garantindo operação confiável em altas temperaturas.
Aplicações:
Este MOSFET é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Inversores para motores DC
- Retificação síncrona
- Aplicações automotivas
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