Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 195A |
| Corrente Drain Pulsada (Idm) | 780A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 2.4mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 6300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1300pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 600pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Certificação | AEC-Q101 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRFB7537PBF pode suportar em sua entrada (Gate)?
A tensão Gate: Source (Vgs) máxima suportada pelo IRFB7537PBF é de ±20V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB7537PBF?
O IRFB7537PBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais as aplicações típicas do IRFB7537PBF e qual sua capacidade de corrente?
O IRFB7537PBF é projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva e industrial. Ele suporta uma corrente Drain Contínua (Id) de 195A e uma corrente Drain Pulsada (Idm) de 780A.