Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 200V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 16 mOhm a 10Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 400 A |
| Carga de Gate (Qg) | 110 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 5 ns |
| Diodo de Corpo | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFB4620PBF?
O IRFB4620PBF é encapsulado em TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB4620PBF?
A temperatura de operação do IRFB4620PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada ao Gate (Vgs) do IRFB4620PBF?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do IRFB4620PBF é de ±20 V.