Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 110 A |
| Corrente Drain Pulsada (Idm) | 440 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.7 mΩ a Vgs=10V e Id=50A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V a Id=250µA |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | TO-220 FullPAK |
| Encapsulamento | Plástico |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFB4615PBF?
O IRFB4615PBF utiliza o encapsulamento TO-220 FullPAK, feito de plástico.
Qual a temperatura de operação do IRFB4615PBF?
O IRFB4615PBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source do IRFB4615PBF?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) do IRFB4615PBF é de 150 V.