Infineon IRFB4610PBF: MOSFET de Potência para Aplicações Exigentes

O IRFB4610PBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações de comutação de alta velocidade. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 100V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 73A, este transistor é ideal para uso em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores, controladores de motor e outras aplicações de alta potência.

Especificações Técnicas do IRFB4610PBF

• Tipo de dispositivo: MOSFET de potência de canal N
• Tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS): 100V
• Corrente de dreno contínua (ID): 73A
• Resistência de estado ligado (RDS(on)): 14mΩ (típico)
• Carga de porta total (Qg): 90nC
• Dissipação de potência (PD): 190W
• Temperatura de junção operacional (TJ): -55°C a +175°C
• Encapsulamento: TO-220AB

Recursos e Benefícios

O IRFB4610PBF oferece uma série de recursos e benefícios que o tornam uma escolha ideal para uma ampla gama de aplicações:

• Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência.
• Alta capacidade de corrente: Permite o uso em aplicações de alta potência.
• Tempo de comutação rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora a eficiência geral do sistema.
• Robustez e confiabilidade: Projetado para suportar condições operacionais exigentes.
• Encapsulamento TO-220AB: Facilita a montagem e a dissipação de calor.

Aplicações

O IRFB4610PBF é adequado para uma variedade de aplicações, incluindo:

• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Inversores
• Controladores de motor
• Aplicações automotivas
• Eletrônica de potência

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Observação: As especificações técnicas podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.

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