Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 130 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.0 V |
| Corrente Drain Pulsada (Id, pulse) | 520 A |
| Temperatura de Operação Máxima (Tj) | 175 °C |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | PBF (Lead-free) |
| AEC | Q101 qualificado |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFB4332PBF?
O IRFB4332PBF possui encapsulamento TO-220 e é PBF (Lead-free).
Qual a temperatura máxima de operação do IRFB4332PBF?
A temperatura de operação máxima (Tj) do IRFB4332PBF é de 175 °C.
Qual a tensão Drain-Source e a corrente Drain contínua do IRFB4332PBF?
A tensão Drain-Source (Vds) do IRFB4332PBF é de 150 V, e a corrente Drain contínua (Id) é de 130 A.