Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 135 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 400 pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,pulse) | 540 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | TO-220 FullPAK |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do IRFB4310PBF?
O IRFB4310PBF opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima que o IRFB4310PBF pode suportar no dreno?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima do IRFB4310PBF é de 100 V.
Qual o package do IRFB4310PBF e ele está em conformidade com RoHS?
O IRFB4310PBF possui package TO-220 FullPAK e está em conformidade com RoHS.