Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em veículos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 120 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.1 mOhm |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 300 W |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRFB4115PBF?
O transistor IRFB4115PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB4115PBF?
O IRFB4115PBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
O IRFB4115PBF possui alguma certificação de segurança?
Sim, o IRFB4115PBF é qualificado AEC-Q101.