Infineon IRFB4019PBF: Transistor MOSFET de Alta Eficiência
O Infineon IRFB4019PBF é um transistor MOSFET de canal N projetado para aplicações de alta eficiência, amplamente utilizado em circuitos de potência e conversores. Este componente combina desempenho confiável, baixa resistência de condução e alta capacidade de corrente, sendo uma escolha ideal para projetos que exigem eficiência energética e durabilidade.
Especificações Técnicas do Infineon IRFB4019PBF
Este transistor MOSFET apresenta especificações robustas que atendem às demandas de diversas aplicações industriais e comerciais. Entre suas principais características estão:
- Tipo de Transistor: MOSFET de canal N
- Voltagem de Operação: Até 100V
- Corrente de Dreno (ID): Até 180A
- Resistência RDS(on): Apenas 2,8 mΩ
- Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Essas especificações tornam o Infineon IRFB4019PBF uma solução confiável para aplicações de alta potência, como inversores de energia, controladores de motores e fontes de alimentação comutadas.
Benefícios e Aplicações
O Infineon IRFB4019PBF oferece benefícios significativos para desenvolvedores de sistemas de potência. Sua baixa resistência RDS(on) reduz as perdas de energia, garantindo alta eficiência em circuitos de potência. Além disso, sua capacidade de operar em temperaturas extremas o torna adequado para ambientes industriais exigentes.
Este MOSFET é amplamente utilizado em aplicações como:
- Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
- Conversores de energia DC-DC
- Controladores de motores
- Inversores fotovoltaicos
- Equipamentos industriais de alta potência
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