Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 195A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 195 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.5 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Id pulse) | 780 A |
| Carga de Gate (Qg) | 130 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 4800 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1000 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 450 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFB4019PBF?
O IRFB4019PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB4019PBF?
A temperatura de operação do IRFB4019PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as tensões máximas suportadas pelo IRFB4019PBF?
O IRFB4019PBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 100V e uma tensão Gate-Source (Vgs) de ±20V.