Transistor MOSFET IRFB3307ZPBF Infineon
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o IRFB3307ZPBF da Infineon, um componente de alta qualidade que oferece excelente desempenho e durabilidade.
Especificações do IRFB3307ZPBF:
- Tipo de canal: N
- Tensão Dreno-Source (VDSS): 75V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 120A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 5.8mΩ
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais:
O IRFB3307ZPBF é um transistor MOSFET de potência HEXFET® de última geração, projetado para fornecer excelente desempenho em uma variedade de aplicações. Com uma baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) de 5.8mΩ, ele garante uma dissipação de energia mínima e alta eficiência. Sua capacidade de lidar com altas correntes de dreno (até 120A) o torna ideal para aplicações de alta potência.
Este MOSFET possui um diodo corporal rápido e robusto, tornando-o adequado para aplicações de comutação rápida e retificação síncrona. Além disso, o IRFB3307ZPBF apresenta excelente robustez e confiabilidade, garantindo um desempenho consistente mesmo em condições exigentes.
Aplicações Típicas:
O IRFB3307ZPBF é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Sistemas de alimentação ininterrupta (UPS)
- Controladores de motor
- Conversores DC-DC
- Aplicações automotivas
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Benefícios do IRFB3307ZPBF:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on))
- Alta capacidade de corrente de dreno
- Diodo corporal rápido e robusto
- Excelente robustez e confiabilidade
- Ampla gama de aplicações
Se você precisa de um MOSFET de potência de alta qualidade e desempenho para sua aplicação, o IRFB3307ZPBF da Infineon é a solução ideal. Entre em contato com a Mokka Sensors hoje mesmo para adquirir este componente.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IRFB3307ZPBF e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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