Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 110 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V |
| Package | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Id) | 440 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2600 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRFB3307ZPBF?
O IRFB3307ZPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRFB3307ZPBF?
O IRFB3307ZPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRFB3307ZPBF?
O IRFB3307ZPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source de 75 V, corrente contínua de Drain de 110 A, resistência Drain-Source de 4.3 mOhm a Vgs=10V, e tensão de Threshold de 2 V. Ele também possui uma corrente de Drain pulsada de 440 A e é RoHS Compliant.