Transistor MOSFET IRF9Z34NPBF Infineon – Canal P
Procurando por um MOSFET de canal P confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o IRF9Z34NPBF da Infineon, um componente eletrônico de alta qualidade que oferece excelente desempenho e durabilidade.
Especificações Técnicas do IRF9Z34NPBF:
- Tipo de Canal: P-Channel
- Tensão Dreno-Fonte (Vds): 55V
- Corrente de Dreno (Id): 17A
- Resistência RDS(on): 100mΩ
- Carga de Porta (Qg): 23.3nC
- Tempo de Aumento (tr): 11ns
- Tempo de Queda (tf): 43ns
- Dissipação de Potência (Pd): 56W
- Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais do MOSFET IRF9Z34NPBF
O IRF9Z34NPBF é um transistor MOSFET de potência que se destaca por suas características:
- Baixa resistência RDS(on): garante menor perda de energia e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente: ideal para aplicações que exigem alta potência.
- Tempo de comutação rápido: proporciona melhor desempenho em circuitos de alta frequência.
- Encapsulamento TO-220AB: facilita a montagem e dissipação de calor.
Aplicações do IRF9Z34NPBF
Este MOSFET é uma escolha versátil para diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de relés
- Sistemas de iluminação
- Conversores DC-DC
- E muito mais!
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