Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e baixa tensão.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | Canal P |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -11 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): -2 V a -4 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.085 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -11A |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | -44 A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 45 nC @ Vgs = -10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 750 pF @ Vds = -25V, f = 1MHz |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF @ Vds = -25V, f = 1MHz |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 75 pF @ Vds = -25V, f = 1MHz |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF9Z24NPBF?
O IRF9Z24NPBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF9Z24NPBF?
O IRF9Z24NPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Qual a corrente máxima de dreno e tensão suportada pelo IRF9Z24NPBF?
A corrente de dreno contínua (Id) é de -11A e a tensão Dreno-Fonte (Vds) é de -55V.