Infineon IRF9540NPBF: MOSFET Canal P de Alta Potência
O IRF9540NPBF da Infineon é um MOSFET de canal P de alta potência, ideal para aplicações que exigem alta capacidade de comutação e baixa resistência. Com uma tensão máxima de dreno-fonte de 100V e uma corrente de dreno contínua de 23A, este transistor HEXFET® é uma escolha robusta para projetos de eletrônica de potência.
Especificações Técnicas do IRF9540NPBF
- Tipo de Canal: P
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 23A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 117mΩ
- Potência Dissipada (PD): 140W
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais
Este MOSFET de potência oferece uma série de vantagens que o tornam uma solução eficiente e confiável para suas necessidades:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, permitindo o controle de cargas significativas.
- Tempo de comutação rápido, ideal para aplicações de alta frequência.
- Encapsulamento TO-220AB, amplamente utilizado e de fácil montagem.
Aplicações
O IRF9540NPBF é um componente versátil, adequado para diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Controladores de motor
- Conversores DC-DC
- Circuitos de acionamento de relés
- Sistemas de controle industrial
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