Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | Canal P |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -11 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (RDS(on)): 0.12 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -11A |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC |
| Tempo de subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de descida (tf) | 10 ns |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | -44 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 150 W |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF9530NPBF?
O IRF9530NPBF é encapsulado em TO-220.
Qual a temperatura de operação do IRF9530NPBF?
A temperatura de operação do IRF9530NPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são os valores típicos de tensão e corrente do IRF9530NPBF?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) é de -100V, a corrente de Dreno contínua (Id) é -11A e a corrente de Dreno pulsada (Idm) é -44A.