Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta corrente e baixa tensão.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal P |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -14 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.11 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -14A |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | -56 A |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC @ Vgs = -10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | -2.0 V @ Id = -250 µA |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRF9410PBF?
O transistor IRF9410PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF9410PBF?
A temperatura de operação do IRF9410PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas principais do IRF9410PBF?
O IRF9410PBF é um MOSFET de Canal P com tensão Dreno-Fonte (Vds) de -100 V, corrente de dreno contínua (Id) de -14 A e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V. Sua resistência Dreno-Fonte (Rds(on)) é de 0.11 Ohm (Vgs = -10V, Id = -14A).