Descrição
Transistor MOSFET de canal P, de potência, com encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal P |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -12A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 12mΩ @ Vgs = -10V, Id = -12A |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | -48A |
| Carga de Gate (Qg) | 35nC @ Vgs = -10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): -2.0V |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150W |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF9310PBF?
O IRF9310PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF9310PBF?
A temperatura de operação do IRF9310PBF varia de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima Dreno-Fonte do IRF9310PBF?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRF9310PBF é -30V.