Transistor MOSFET IRF9310PBF Infineon
Procurando por um MOSFET P-Channel de alta qualidade e desempenho confiável? Apresentamos o IRF9310PBF da Infineon Technologies, um componente essencial para suas aplicações em eletrônica de potência.
Especificações Técnicas do IRF9310PBF:
- Tipo de FET: P-Channel
- Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão Dreno-Source (Vdss): 30V
- Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
- Tensão de Drive (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
- Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 5250pF @ 15V
- Dissipação de Potência (Max): 2.5W (Ta)
- Temperatura de Operação: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de Montagem: Surface Mount
- Pacote do Dispositivo Fornecedor: 8-SO
- Pacote / Case: 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Largura)
Aplicações do MOSFET IRF9310PBF
O IRF9310PBF é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Circuitos de controle de motor
- Aplicações automotivas
- Gerenciamento de bateria
Por que escolher o IRF9310PBF?
Este MOSFET P-Channel oferece uma série de vantagens que o tornam a escolha ideal para seus projetos:
- Baixa resistência de condução (Rds On): Minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência.
- Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas significativas.
- Pacote compacto: 8-SOIC, ideal para projetos com espaço limitado.
- Robustez e confiabilidade: Construído para suportar condições de operação exigentes.
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