Infineon IRF8788TRPBF: MOSFET de Potência para Alta Eficiência
O IRF8788TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em aplicações de comutação de alta velocidade. Com baixa resistência de condução (RDS(on)) e carga de porta reduzida, este componente minimiza perdas e aumenta a eficiência energética em projetos de eletrônica de potência.
Especificações Técnicas do IRF8788TRPBF:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 30V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 24A
- RDS(on): 2.8mΩ @ VGS = 10V
- Carga de Porta (Qg): 44nC
- Empacotamento: SOIC-8
Aplicações do MOSFET IRF8788TRPBF:
O IRF8788TRPBF é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Gerenciamento de bateria
- Eletrônica automotiva
Benefícios do IRF8788TRPBF:
Este MOSFET de potência oferece diversos benefícios que o tornam uma escolha superior para seus projetos:
- Baixas perdas de condução, graças ao baixo RDS(on)
- Alta velocidade de comutação, proporcionando maior eficiência
- Robustez e confiabilidade
- Empacotamento compacto SOIC-8, ideal para projetos com espaço limitado
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