Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 75 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.2 mOhm a 10V Vgs |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| RoHS | Sim |
| Encapsulamento | Tape & Reel |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, conversores DC/DC |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF8788TRPBF e como ele é entregue?
O IRF8788TRPBF possui encapsulamento PG-TDSON-8 e é entregue em Tape & Reel.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF8788TRPBF?
A temperatura de operação do IRF8788TRPBF varia de -55 °C a 175 °C.
Quais as aplicações típicas do IRF8788TRPBF?
O IRF8788TRPBF é projetado para aplicações como gerenciamento de energia, fontes de alimentação e conversores DC/DC.