Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 120A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no IRF8736TRPBF?
O IRF8736TRPBF utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF8736TRPBF?
O IRF8736TRPBF pode operar em temperaturas de -55°C a +150°C.
Quais as características elétricas do IRF8736TRPBF?
O IRF8736TRPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source de 30V, corrente de Drain contínua de 120A, tensão Gate-Source de ±20V, resistência Drain-Source de 4.2mOhm (a Vgs=10V), e tensão de threshold de 2V.