Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 120A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 4.2mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Tensão de limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 2300pF |
| Capacitância de saída (Coss) | 750pF |
| Capacitância de transferência (Crss) | 250pF |
| Corrente de pulso Drain (Idm) | 800A |
| Temperatura de operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF8714PBF?
O IRF8714PBF é encapsulado em PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF8714PBF?
A temperatura de operação do IRF8714PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão Drain-Source máxima do IRF8714PBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRF8714PBF é 30V.