Infineon IRF8707TRPBF

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Infineon IRF8707TRPBF: MOSFET de Potência para Aplicações de Alta Eficiência

O IRF8707TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações, incluindo conversores DC-DC, controladores de motor e fontes de alimentação comutadas. Com sua baixa resistência de condução (RDS(on)) e capacidade de carga de porta reduzida, o IRF8707TRPBF minimiza as perdas de energia, aumenta a eficiência e prolonga a vida útil da bateria.

Especificações Técnicas do IRF8707TRPBF:

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 30V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 11A
  • Resistência de Condução (RDS(on)): 11.9mΩ
  • Carga de Porta Total (Qg): 6.2nC
  • Dissipação de Potência (PD): 2.5W
  • Tipo de Canal: N
  • Tecnologia: HEXFET
  • Encapsulamento: SO-8

Benefícios do IRF8707TRPBF:

Este MOSFET de potência da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam ideal para diversas aplicações:

  • Baixa resistência de condução (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência energética.
  • Carga de porta reduzida (Qg), proporcionando comutação rápida e minimizando as perdas de comutação.
  • Encapsulamento SO-8 compacto, permitindo a miniaturização de projetos e economizando espaço na placa de circuito impresso.
  • Alta capacidade de corrente, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de potência.
  • Excelente confiabilidade e robustez, garantindo operação estável em ambientes desafiadores.

Aplicações do IRF8707TRPBF:

O IRF8707TRPBF é um componente versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, como:

  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Fontes de alimentação comutadas
  • Gerenciamento de bateria
  • Carregadores de dispositivos eletrônicos
  • Sistemas de iluminação LED

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