Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 75A, com encapsulamento TO 220AB. Projetado para aplicações de alta corrente e comutação.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 75 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.012 Ohm @ Vgs = 10V, Id = 75A |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 300 A |
| Carga de Gate (Qg) | 120 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF8010PBF?
O transistor IRF8010PBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF8010PBF?
O IRF8010PBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Quais as tensões e correntes máximas suportadas pelo IRF8010PBF?
O IRF8010PBF suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 55V e uma corrente contínua de Drain (Id) de 75A. A corrente de Drain pulsada (Idm) é de 300A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20V.