Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3 mOhm a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Package | SuperSO8 (PG-TO263-3-2) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 800 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2400 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 600 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 200 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF7854TRPBF pode suportar?
A tensão máxima Drain:Source (Vds) é de 60 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7854TRPBF?
O IRF7854TRPBF opera em temperaturas que variam de -55 °C a +175 °C.
Quais são as dimensões do encapsulamento do IRF7854TRPBF?
O IRF7854TRPBF é encapsulado em SuperSO8 (PG-TO263-3-2).