Infineon IRF7832TRPBF: MOSFET de Potência N-Channel de Alta Performance
O IRF7832TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de 30V e 20A, encapsulado em um pacote SO-8, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e baixo consumo de energia. Com uma resistência de estado ligado (RDS(on)) ultrabaixa, este MOSFET oferece excelente desempenho em comutação, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
Especificações Técnicas do IRF7832TRPBF:
- Tensão Dreno-Source (VDS): 30V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 20A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 4.0mΩ @ VGS = 10V
- Carga de Porta Total (Qg): 34nC
- Tensão de Limiar de Porta (VGS(th)): 1.39V
- Dissipação de Potência (PD): 2.5W
- Temperatura de Junção Operacional (TJ): -55°C a +155°C
- Encapsulamento: SO-8
Características Principais:
O IRF7832TRPBF se destaca por suas características avançadas que o tornam uma escolha superior em projetos eletrônicos:
- Baixa RDS(on) para minimizar perdas de condução
- Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes
- Comutação rápida para reduzir perdas e melhorar a eficiência
- Excelente estabilidade térmica
- Pacote SO-8 compacto para economia de espaço
Aplicações do MOSFET IRF7832TRPBF:
Este MOSFET versátil encontra aplicação em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos, incluindo:
- Computadores portáteis e dispositivos móveis
- Equipamentos de telecomunicações
- Sistemas de iluminação LED
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Carregadores de bateria
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