Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 50A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 6.3mΩ @ Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no MOSFET IRF7832TRPBF?
O IRF7832TRPBF utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7832TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7832TRPBF varia de -55°C a +150°C.
Qual o tipo de canal e tensão Drain-Source do IRF7832TRPBF?
O IRF7832TRPBF é um MOSFET de canal N-Channel, com tensão Drain-Source (Vds) de 30V.