Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em servidores e sistemas de telecomunicações.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 55 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 48 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5 mΩ a 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Corrente de Drain Pulsada (Id, pulse) | 192 A |
| Carga de Gate (Qg) | 48 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1600 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100 pF |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual a temperatura de operação do IRF7811AVPBF?
A temperatura de operação do IRF7811AVPBF varia de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão máxima que o IRF7811AVPBF suporta no Drain?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRF7811AVPBF é de 55 V.
Em qual encapsulamento o IRF7811AVPBF é fornecido?
O IRF7811AVPBF é fornecido no encapsulamento D2PAK (TO-263) e é compatível com RoHS.