Descrição
MOSFET de canal N de alta performance da família IRF, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 10A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 40A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 12mΩ @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 15nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 550pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 120pF |
| Capacitância Reverso de Transferência (Crss) | 40pF |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7425TRPBF?
O IRF7425TRPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7425TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7425TRPBF é de -55°C a +175°C.
O IRF7425TRPBF está em conformidade com RoHS?
Sim, o IRF7425TRPBF é RoHS Compliant.