Infineon IRF7413PBF

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Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.

Especificações

Tecnologia HEXFET Power MOSFET
Tipo de Canal N-Channel
Tensão Dreno Fonte (Vds): 30V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 100A
Resistência Dreno Fonte (RDS(on)): 7.5mOhm @ Vgs = 10V
Tensão de Limiar Gate Source (Vgs(th)): 2V
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 400A
Capacitância de Entrada (Ciss) 2200pF
Capacitância de Saída (Coss) 600pF
Capacitância de Transferência Inversa (Crss) 200pF
Tempo de Subida (tr) 15ns
Tempo de Descida (tf) 10ns
Package TO-220AB
Temperatura de Operação -55°C a +175°C

FAQ

Qual a tensão máxima que o IRF7413PBF suporta?

O IRF7413PBF suporta uma tensão Dreno-Fonte (Vds) de 30V.

Em qual faixa de temperatura o IRF7413PBF pode operar?

O IRF7413PBF pode operar em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.

Qual a corrente contínua máxima que o IRF7413PBF pode conduzir?

A corrente de Dreno contínua (Id) máxima do IRF7413PBF é de 100A.

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