Descrição
MOSFET de canal N de alta velocidade, 55V, 16A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento D2PAK.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 16A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 7.5 mOhm @ 10V |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 64A |
| Carga de Gate (Qg) | 32nC @ 10V |
| Tempo de Subida (tr) | 10ns |
| Tempo de Descida (tf) | 7ns |
| Padrão RoHS | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7380TRPBF?
O IRF7380TRPBF é encapsulado em D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7380TRPBF?
A temperatura de operação do IRF7380TRPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de dreno-fonte (Vds) do IRF7380TRPBF?
A tensão de dreno-fonte (Vds) máxima do IRF7380TRPBF é 55V.