Descrição
O Infineon IRF7380PBF é um MOSFET de canal N de alta velocidade, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 16A |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 64A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5mΩ (Vgs=10V, Id=16A) |
| Carga de Gate Total (Qg) | 45nC (Vgs=10V) |
| Tempo de Subida (tr) | 10ns |
| Tempo de Descida (tf) | 7ns |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-220AB |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7380PBF?
O IRF7380PBF é encapsulado em TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7380PBF?
A temperatura de operação do IRF7380PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas principais do IRF7380PBF?
O IRF7380PBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source de 60V, corrente contínua de Drain de 16A, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 7.5mΩ.