Descrição
MOSFET de canal N de alta velocidade, projetado para aplicações de comutação de alta frequência. Possui baixa resistência de condução e carga de gate.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 11A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 120mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V @ Id = 250µA |
| Carga de Gate Total (Qg) | 15nC @ Vgs = 10V |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Encapsulamento | SO-8 (PowerPAK SO-8) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim |
| Polaridade | Unipolar |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7351TRPBF?
O IRF7351TRPBF é encapsulado em SO-8 (PowerPAK SO-8).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7351TRPBF?
O IRF7351TRPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF7351TRPBF?
O IRF7351TRPBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60V, corrente de Drain contínua (Id) de 11A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 120mΩ (a Vgs = 10V) e carga de Gate Total (Qg) de 15nC (a Vgs = 10V).