Infineon IRF7351TRPBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance
O IRF7351TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N duplo, encapsulado em um pacote SO-8 de montagem em superfície. Este componente de alta eficiência e baixo custo é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Drivers de motor
- Circuitos de acionamento de relé
- Aplicações de controle industrial
Especificações Técnicas do IRF7351TRPBF
Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (Vdss) de 60V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 8A, o IRF7351TRPBF oferece excelente desempenho em aplicações de alta potência. Sua baixa resistência de estado ligado (Rds(on)) de 17.8mΩ a 8A e 10V garante mínima perda de energia e alta eficiência.
Outras características importantes incluem:
- Tecnologia MOSFET de óxido metálico
- Configuração de canal N duplo
- Gate de nível lógico
- Carga de gate (Qg) de 36nC a 10V
- Capacitância de entrada (Ciss) de 1330pF a 30V
- Potência máxima de 2W
- Faixa de temperatura de operação de -55°C a 150°C
Vantagens do IRF7351TRPBF
O IRF7351TRPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para diversas aplicações:
- Alta eficiência e baixo consumo de energia
- Baixa resistência de estado ligado
- Alta capacidade de corrente
- Pacote compacto SO-8 para economia de espaço
- Ampla faixa de temperatura de operação
Aplicações do MOSFET IRF7351TRPBF
Este MOSFET versátil pode ser usado em uma variedade de aplicações, como:
- Controle de motor em ferramentas elétricas, eletrodomésticos e equipamentos industriais
- Fontes de alimentação chaveadas para computadores, servidores e telecomunicações
- Conversores DC-DC em dispositivos portáteis e automotivos
- Acionamento de relés e solenoides em sistemas de automação
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Observação: As informações fornecidas nesta descrição são apenas para fins informativos. Consulte a folha de dados do fabricante para obter especificações detalhadas e diretrizes de aplicação.
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