Descrição
Transistor MOSFET de canal duplo N Channel, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência de condução.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 11A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V @ Id = 250µA |
| Package | 8-Pin SOIC (SO-8) |
| Encapsulamento | Tape & Reel |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 44A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 25nC @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1100pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150pF @ Vds = 25V |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7343TRPBF?
O IRF7343TRPBF utiliza um encapsulamento 8-Pin SOIC (SO-8) e é fornecido em Tape & Reel.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7343TRPBF?
O IRF7343TRPBF opera em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF7343TRPBF?
O IRF7343TRPBF é um MOSFET com tensão Drain-Source (Vds) de 30V, corrente contínua de Drain (Id) de 11A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 12mΩ @ Vgs = 10V, e tensão de threshold Gate-Source (Vgs(th)) de 2V @ Id = 250µA. Possui tecnologia HEXFET Power MOSFET e é RoHS Compliant.