Infineon IRF7343TRPBF: MOSFET Duplo Canal N e P em um Único Pacote
O IRF7343TRPBF da Infineon é um circuito integrado que combina dois MOSFETs de potência, um canal N e um canal P, em um único encapsulamento SOIC-8. Essa solução compacta e eficiente oferece aos projetistas flexibilidade e economia de espaço em placas de circuito impresso.
Especificações Técnicas do IRF7343TRPBF
- Tecnologia: MOSFET de quinta geração
- Tipo de Canal: Um canal N e um canal P
- Tensão Drain-Source (VDS): 55V
- Corrente de Dreno Contínua (ID) a 25°C: 4.7A (canal N), 3.4A (canal P)
- Resistência On (RDS(on)): Baixa
- Encapsulamento: SOIC-8
- Montagem: SMD (Surface Mount Device)
Aplicações do MOSFET Duplo IRF7343TRPBF
Graças à sua versatilidade, o IRF7343TRPBF pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Controle de motor
- Fontes de alimentação chaveadas
- Circuitos de acionamento de relé
- Conversores DC-DC
- Aplicações automotivas
- Eletrônicos de consumo
Vantagens do IRF7343TRPBF
Este componente oferece diversas vantagens para seus projetos:
- Integração: Combina dois MOSFETs em um único pacote, economizando espaço e reduzindo a complexidade do circuito.
- Eficiência: Baixa resistência On (RDS(on)) para minimizar perdas de energia.
- Confiabilidade: Tecnologia MOSFET de quinta geração da Infineon para alta confiabilidade e desempenho.
- Versatilidade: Adequado para uma variedade de aplicações de comutação de potência.
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Observação: As especificações podem variar. Consulte a folha de dados do fabricante para obter informações detalhadas sobre o produto.
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