Descrição
O IRF7342TRPBF é um MOSFET de canal duplo N e canal duplo P em um único encapsulamento SO 8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | Dual N-Channel & Dual P-Channel |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V (N-Ch), -30V (P-Ch) |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 7.2A (N-Ch), -5.8A (P-Ch) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V (N-Ch), -2V (P-Ch) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 18mΩ @ Vgs=10V, 25mΩ @ Vgs=4.5V (N-Ch), 25mΩ @ Vgs=-10V, 35mΩ @ Vgs=-4.5V (P-Ch) |
| Encapsulamento | SO-8 (PowerPAK SO-8) |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Montagem | Surface Mount |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento e método de montagem do IRF7342TRPBF?
O IRF7342TRPBF possui encapsulamento SO-8 (PowerPAK SO-8) e é projetado para montagem em superfície (Surface Mount).
Quais as temperaturas de operação do IRF7342TRPBF?
O IRF7342TRPBF pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF7342TRPBF?
O IRF7342TRPBF é um MOSFET de canal duplo N e canal duplo P. Sua tensão Dreno-Fonte (Vds) é de 30V para o canal N e -30V para o canal P. A corrente de Dreno Contínua (Id) é de 7.2A (N-Ch) e -5.8A (P-Ch). A tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) é 2V (N-Ch) e -2V (P-Ch). A resistência Dreno-Fonte (Rds(on)) é 18mΩ @ Vgs=10V, 25mΩ @ Vgs=4.5V (N-Ch) e 25mΩ @ Vgs=-10V, 35mΩ @ Vgs=-4.5V (P-Ch).