Infineon IRF7342TRPBF: MOSFET Duplo Canal P de Alta Performance

O IRF7342TRPBF da Infineon é um MOSFET duplo canal P de última geração, encapsulado em um pacote SO-8, que oferece excelente desempenho e eficiência para suas aplicações. Com tecnologia de quinta geração, este componente é ideal para projetos que exigem alta potência e baixo consumo de energia, como drivers de motor, fontes de alimentação chaveadas e conversores DC-DC.

Especificações Técnicas do IRF7342TRPBF

• Tensão Dreno-Fonte (V_DSS): -55V
• Corrente de Dreno Contínua (I_D): -3.4A
• Resistência RDS(on) (V_GS = -10V): 0.105Ω
• Capacitância de Entrada (C_iss): 1050pF
• Tempo de Aumento (t_r): 45ns
• Tempo de Queda (t_f): 33ns
• Temperatura de Operação (T_J): -55°C a +150°C
• Encapsulamento: SO-8

Características e Benefícios do MOSFET IRF7342TRPBF

Este MOSFET duplo canal P da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para seus projetos:

• Baixa resistência RDS(on), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
• Alta capacidade de corrente, permitindo o controle de cargas mais exigentes.
• Tempo de comutação rápido, ideal para aplicações de alta frequência.
• Ampla faixa de temperatura de operação, garantindo confiabilidade em diversos ambientes.
• Encapsulamento SO-8 compacto, facilitando a integração em projetos com espaço limitado.
• Compatível com tecnologias de montagem em superfície, simplificando o processo de produção.

Aplicações do IRF7342TRPBF

O IRF7342TRPBF é um componente versátil que pode ser utilizado em uma variedade de aplicações, incluindo:

• Drivers de motor DC
• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Conversores DC-DC
• Circuitos de controle industrial
• Sistemas de gerenciamento de bateria
• Aplicações automotivas

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