Infineon IRF7341TRPBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance
O IRF7341TRPBF da Infineon é um MOSFET duplo canal N de quinta geração, encapsulado em SO-8, que oferece excelente desempenho em diversas aplicações de comutação de potência. Com tecnologia HEXFET avançada, este componente garante baixa resistência de condução (RDS(on)), comutação rápida e alta confiabilidade. Ideal para projetos que exigem eficiência e economia de espaço.
Especificações Técnicas do IRF7341TRPBF:
- Tensão Dreno-Source (VDSS): 55V
- Corrente de Dreno Contínua (ID) a 25°C: 4.7A
- Resistência de Condução (RDS(on)) a 10V: 0.050Ω
- Dissipação de Potência (PD): 2.0W
- Encapsulamento: SO-8
- Tecnologia: HEXFET de quinta geração
- Configuração: Duplo Canal N
Características Principais do MOSFET IRF7341TRPBF:
Este MOSFET duplo canal N se destaca por suas características avançadas, que o tornam uma escolha ideal para uma variedade de aplicações:
- Baixa resistência de condução (RDS(on)), proporcionando alta eficiência energética e menor dissipação de calor.
- Capacidade de comutação rápida, ideal para aplicações de alta frequência.
- Robusto design do dispositivo, garantindo alta confiabilidade e longa vida útil.
- Encapsulamento SO-8 compacto, que economiza espaço na placa de circuito impresso.
- Compatível com técnicas de soldagem a vapor, infravermelho e onda.
Aplicações do IRF7341TRPBF:
Graças ao seu desempenho e características, o IRF7341TRPBF é indicado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de relé
- Aplicações automotivas
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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IRF7341TRPBF e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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