Descrição
MOSFET de canal duplo N e P, encapsulamento SO 8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | Canal Duplo N e P |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V (Canal N), -30V (Canal P) |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 6.5A (Canal N), -5.5A (Canal P) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V (Canal N), -2V (Canal P) |
| Resistência Dreno | Source (RDS(on)): 20mΩ @ 6.5A (Canal N), 25mΩ @ 5.5A (Canal P) |
| Encapsulamento | SO-8 (PowerPAK SO-8) |
| Tecnologia | High Performance Trench MOSFET |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±12V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 15nC (Canal N), 12nC (Canal P) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 26A (Canal N), 22A (Canal P) |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o tipo de transistor do IRF7341TRPBF?
O IRF7341TRPBF é um MOSFET de canal duplo, composto por um canal N e um canal P.
Em quais temperaturas o IRF7341TRPBF pode operar?
O IRF7341TRPBF opera em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF7341TRPBF?
As tensões Dreno-Fonte (Vds) são 30V (canal N) e -30V (canal P). A corrente de Dreno Contínua (Id) é 6.5A (canal N) e -5.5A (canal P). A Resistência Dreno-Fonte (RDS(on)) é 20mΩ @ 6.5A (canal N) e 25mΩ @ 5.5A (canal P). A tensão Gate-Source máxima (Vgs) é ±12V. O produto é RoHS Compliant.