Descrição
O Infineon IRF7341PBF é um MOSFET de canal duplo N Channel, projetado para aplicações de alta eficiência e comutação rápida.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal Duplo N-Channel |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 11A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 12 mΩ a Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 35 nC |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Encapsulamento | 8-DIP (Dual In-line Package) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 44A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±16V |
| Dissipação de Potência (Pd) | 2.5W |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7341PBF?
O IRF7341PBF é encapsulado em um 8-DIP (Dual In-line Package).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7341PBF?
A temperatura de operação do IRF7341PBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Gate: Source (Vgs) do IRF7341PBF?
A tensão Gate: Source (Vgs) máxima do IRF7341PBF é ±16V.