Infineon IRF7341PBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance
O IRF7341PBF da Infineon é um MOSFET duplo canal N de quinta geração que oferece desempenho excepcional em um encapsulamento SO-8 compacto. Com tecnologia avançada e design robusto, este componente é ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IRF7341PBF
- Tensão Dreno-Source (VDSS): 55V
- Corrente de Dreno Contínua (ID) a 25°C: 4.7A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 0.050Ω
- Tecnologia: Quinta Geração HEXFET
- Encapsulamento: SO-8
- Configuração: Canal N Duplo
- Aplicações:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de relé
- E muito mais
Recursos e Benefícios
O IRF7341PBF da Infineon oferece uma série de vantagens significativas para seus projetos:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta Velocidade de Comutação: Permite operação em altas frequências, reduzindo o tamanho e o peso dos componentes.
- Design Robusto: Garante confiabilidade e longa vida útil em aplicações exigentes.
- Encapsulamento SO-8: Compacto e fácil de montar em placas de circuito impresso.
- Tecnologia HEXFET de Quinta Geração: Processo de fabricação avançado que garante desempenho superior.
Aplicações do MOSFET IRF7341PBF
Este MOSFET duplo canal N é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas de alta eficiência
- Conversores DC-DC para aplicações automotivas e industriais
- Controladores de motor para robótica e automação
- Circuitos de acionamento de relé para sistemas de controle
- E muitas outras aplicações que exigem alta performance e confiabilidade
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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
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