Infineon IRF7341GTRPBF

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Infineon IRF7341GTRPBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance

O IRF7341GTRPBF é um MOSFET duplo canal N de última geração, desenvolvido pela Infineon Technologies para oferecer excelente desempenho em uma variedade de aplicações de comutação de potência. Com tecnologia avançada e encapsulamento SO-8 compacto, este componente é ideal para projetos que exigem alta eficiência, baixo consumo de energia e design otimizado.

Especificações Técnicas do IRF7341GTRPBF

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 55V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 5.1A
  • Resistência On-Resistance (RDS(on)): 65mΩ @ VGS = 4.5V
  • Tecnologia: HEXFET® de quinta geração
  • Encapsulamento: SO-8
  • Configuração: Duplo Canal N

Características Principais

O IRF7341GTRPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:

  • Baixa Resistência On-Resistance: Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
  • Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas significativas com facilidade.
  • Comutação Rápida: Reduz as perdas de comutação e melhora a performance geral.
  • Encapsulamento Compacto: Otimiza o espaço em placa e facilita a integração em projetos com restrições de tamanho.
  • Alta Confiabilidade: Construído com tecnologia avançada para garantir operação estável e longa vida útil.

Aplicações

Este MOSFET duplo canal N é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Aplicações automotivas
  • Eletrônicos de consumo

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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.

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