Descrição
O Infineon IRF7311PBF é um MOSFET de canal duplo N Channel, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | Duplo N-Channel |
| Tensão Dreno | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 11A |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 12mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Package | 8-Pin SOIC (DIP) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 44A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 35nC @ Vgs = 10V |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF7311PBF suporta?
O IRF7311PBF possui tensão Dreno-Source (Vds) de 60V e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7311PBF?
A temperatura de operação do IRF7311PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF7311PBF?
O IRF7311PBF é um MOSFET de canal duplo N-Channel, com corrente de dreno contínua (Id) de 11A, resistência Dreno-Source (Rds(on)) de 12mΩ @ Vgs = 10V, corrente de dreno pulsada (Idm) de 44A, carga de gate total (Qg) de 35nC @ Vgs = 10V, tempo de subida (tr) de 15ns e tempo de descida (tf) de 10ns.