Descrição
O Infineon IRF7309PBF é um MOSFET de canal duplo N, projetado para aplicações de alta frequência e com baixa resistência de condução.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal Duplo N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 7.2A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 18mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Encapsulamento | 8-DIP (Dual Inline Package) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate Total (Qg) | 15nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 500pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 50pF |
| Corrente de Pico Pulsada (Idm) | 29A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 2.5W |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF7309PBF?
O IRF7309PBF é encapsulado em um 8-DIP (Dual Inline Package).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7309PBF?
O IRF7309PBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de drain-source e a corrente contínua do IRF7309PBF?
O IRF7309PBF possui uma tensão Drain-Source (Vds) de 30V e uma corrente de Drain Contínua (Id) de 7.2A.