Infineon IRF7307TRPBF

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Infineon IRF7307TRPBF: MOSFET Duplo de Alta Performance para suas Aplicações

Procurando um MOSFET duplo que ofereça alta eficiência e desempenho para seus projetos? Apresentamos o Infineon IRF7307TRPBF, um componente que combina a tecnologia avançada HEXFET® da Infineon com um design compacto e robusto, ideal para uma variedade de aplicações.

Especificações Técnicas do IRF7307TRPBF

Este MOSFET duplo em encapsulamento SO-8 oferece:

  • Canais: N e P
  • Tensão de Dreno-Fonte (VDSS): 20V (N-Channel), -20V (P-Channel)
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 0.050Ω (N-Channel), 0.090Ω (P-Channel)
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 5.2A (N-Channel), -4.3A (P-Channel) @ TA = 25°C
  • Corrente de Dreno Pulsada (IDM): 21A (N-Channel), -17A (P-Channel)
  • Dissipação de Potência (PD): 2.0W
  • Faixa de Temperatura de Junção: -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SO-8

Aplicações do IRF7307TRPBF

Graças ao seu design compacto e alta eficiência, o IRF7307TRPBF é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de carga
  • Eletrônicos de consumo
  • Aplicações automotivas

Benefícios do IRF7307TRPBF

Ao escolher o IRF7307TRPBF, você se beneficia de:

  • Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
  • Alta capacidade de corrente, permitindo o controle de cargas significativas.
  • Tempo de comutação rápido, ideal para aplicações de alta frequência.
  • Encapsulamento SO-8 compacto, economizando espaço na placa de circuito impresso.
  • Robustez e confiabilidade, características da tecnologia HEXFET® da Infineon.

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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.

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