Infineon IRF7306TRPBF

Avaliado como 5.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

O Infineon IRF7306TRPBF é um MOSFET de canal duplo N-Channel, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência.

SKU: IRF7306TRPBF Categoria: Tag:

Descrição

O Infineon IRF7306TRPBF é um MOSFET de canal duplo N Channel, projetado para aplicações de alta eficiência e com baixa resistência.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Canal Duplo N-Channel
Tensão Drain Source (Vds): 60V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 7.5A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 18mΩ @ Vgs = 10V
Tensão de Threshold (Vgs(th)) 2V @ Id = 250µA
Tecnologia HEXFET Power MOSFET
Encapsulamento SO-8 (8-pin)
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 30A
Temperatura de Operação -55°C a +175°C
Carga de Gate (Qg) 15nC
Tempo de Subida (tr) 10ns
Tempo de Descida (tf) 5ns

Recursos

  • RoHS Compliant

FAQ

Qual o encapsulamento do IRF7306TRPBF?

O IRF7306TRPBF é encapsulado em SO-8 (8-pin).

Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7306TRPBF?

O IRF7306TRPBF opera em temperaturas de -55°C a +175°C.

Qual a tensão máxima Drain-Source (Vds) do IRF7306TRPBF?

A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRF7306TRPBF é 60V.

Entre em Contato

Carrinho de compras