Infineon IRF7306PBF

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Infineon IRF7306PBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance

O IRF7306PBF da Infineon é um MOSFET de potência de canal N duplo, encapsulado em um pacote SO-8, que oferece excelente desempenho e eficiência para suas aplicações. Com tecnologia de quinta geração HEXFET, este componente garante baixa resistência de condução (RDS(on)) e comutação rápida, tornando-o ideal para projetos que exigem alta eficiência e resposta rápida.

Especificações Técnicas do IRF7306PBF:

  • Tensão Dreno-Source (VDS): 20V
  • Corrente de Dreno (ID): 10A por canal
  • Resistência de Condução (RDS(on)): 100mΩ
  • Tempo de Subida (tr): 16.7nC
  • Tempo de Descida (tf): 22nC
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 500pF
  • Dissipação de Potência (PD): 2.5W por canal
  • Temperatura de Operação (Tj): -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SO-8

Aplicações do MOSFET IRF7306PBF:

Graças ao seu design compacto e alta eficiência, o IRF7306PBF é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:

  • Controle de motor DC
  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Gerenciamento de bateria
  • Aplicações automotivas

Benefícios do IRF7306PBF:

Este MOSFET duplo canal N da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma solução eficiente e confiável para seus projetos eletrônicos:

  • Baixa resistência de condução (RDS(on)), resultando em menor perda de potência e maior eficiência energética.
  • Alta velocidade de comutação, ideal para aplicações que exigem resposta rápida e controle preciso.
  • Design compacto em encapsulamento SO-8, facilitando a integração em projetos com espaço limitado.
  • Robustez e confiabilidade, garantindo longa vida útil e operação estável em diversas condições.

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