Descrição
O Infineon IRF7306PBF é um MOSFET de canal duplo N e P em um único encapsulamento SO 8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | Dual N-Channel & P-Channel MOSFET |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V (N-Channel), -60V (P-Channel) |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 7.5A (N-Channel), -5.8A (P-Channel) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V (N-Channel), -2V (P-Channel) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 20mΩ @ Vgs=10V (N-Channel), 30mΩ @ Vgs=-10V (P-Channel) |
| Encapsulamento | SO-8 (Surface Mount) |
| Tecnologia | HEXFET® Power MOSFET |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 30A (N-Channel), -23A (P-Channel) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±16V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Aplicações | Chaveamento de alta frequência, gerenciamento de energia |
FAQ
Qual o tipo de transistor do IRF7306PBF?
O IRF7306PBF é um MOSFET de canal duplo, combinando um N-Channel e um P-Channel.
Em qual faixa de temperatura o IRF7306PBF opera?
O IRF7306PBF opera na faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do IRF7306PBF?
O IRF7306PBF é projetado para aplicações como chaveamento de alta frequência e gerenciamento de energia.