Infineon IRF7303TRPBF

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O Infineon IRF7303TRPBF é um MOSFET de canal duplo N-Channel em um encapsulamento SO-8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.

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Descrição

O Infineon IRF7303TRPBF é um MOSFET de canal duplo N Channel em um encapsulamento SO 8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.

Especificações

Tipo de Transistor MOSFET de Canal Duplo N-Channel
Tensão Dreno Fonte (Vds): 30V
Corrente de Dreno Contínua (Id) 7.2A
Resistência Dreno Fonte (Rds(on)): 18mΩ @ Vgs = 10V
Tensão de Gate Source (Vgs): ±12V
Encapsulamento SO-8 (PowerPAK SO-8)
Tecnologia HEXFET Power MOSFET
Temperatura de Operação -55°C a +150°C
Corrente de Dreno Pulsada (Idm) 28.8A
Carga de Gate (Qg) 12nC
Tempo de Subida (tr) 10ns
Tempo de Descida (tf) 5ns

FAQ

Qual o encapsulamento do IRF7303TRPBF?

O IRF7303TRPBF é encapsulado em SO-8 (PowerPAK SO-8).

Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7303TRPBF?

A temperatura de operação do IRF7303TRPBF varia de -55°C a +150°C.

Qual a tensão de dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do IRF7303TRPBF?

A tensão Dreno:Fonte (Vds) do IRF7303TRPBF é 30V e a corrente de Dreno Contínua (Id) é 7.2A.

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