Infineon IRF7303PBF

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Infineon IRF7303PBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance

O IRF7303PBF da Infineon é um MOSFET duplo canal N de quinta geração, encapsulado em um SO-8, que oferece excelente desempenho em diversas aplicações de comutação de potência. Com tecnologia HEXFET avançada, este componente garante baixa resistência de condução (RDS(on)), comutação rápida e robustez, tornando-o ideal para projetos que exigem alta eficiência e confiabilidade.

Especificações Técnicas do IRF7303PBF:

  • Tensão Dreno-Source (VDSS): 30V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 4.9A @ TA = 25°C
  • Resistência de Condução (RDS(on)): 0.050Ω
  • Tempo de Aumento (tr): 23ns
  • Tempo de Queda (tf): 21ns
  • Carga do Gate (Qg): 16.7nC
  • Dissipação de Potência (PD): 2.0W
  • Encapsulamento: SO-8

Características Principais:

O IRF7303PBF se destaca por suas características que o tornam uma solução eficiente e versátil para diversas aplicações:

  • Baixa Resistência de Condução (RDS(on)): Minimiza as perdas de potência e aumenta a eficiência energética do circuito.
  • Comutação Rápida: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho em aplicações de alta frequência.
  • Robustez: Suporta altas correntes e tensões, garantindo confiabilidade e longa vida útil.
  • Encapsulamento SO-8: Compacto e de fácil montagem em placas de circuito impresso.
  • Tecnologia HEXFET: Processo de fabricação avançado que garante alta qualidade e desempenho superior.

Aplicações:

O IRF7303PBF é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Aplicações automotivas
  • Eletrônicos de consumo

Encontre o IRF7303PBF na Mokka Sensors:

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