Descrição
O Infineon IRF7303PBF é um MOSFET de canal duplo N Channel em um encapsulamento SO 8, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal Duplo N-Channel |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 7.2A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V (máx. a 250µA) |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 20mΩ (a Vgs=10V, Id=7.2A) |
| Encapsulamento | SO-8 (PowerPAK SO-8) |
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±12V (máx.) |
| Carga de Gate Total (Qg) | 15nC (a Vgs=10V) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 29A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 2.5W (em encapsulamento SO-8) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7303PBF e sua dissipação de potência?
O IRF7303PBF é encapsulado em SO-8 (PowerPAK SO-8) e possui dissipação de potência de 2.5W.
Quais as tensões máximas suportadas pelo IRF7303PBF?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) suportada é de 30V, e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±12V (máx.).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF7303PBF e a corrente de dreno contínua?
A temperatura de operação do IRF7303PBF varia de -55°C a +150°C. Sua corrente de dreno contínua (Id) é de 7.2A.