Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | Canal N |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 28A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 25mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 112A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 750pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 40pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Package | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF7241PBF suporta?
O IRF7241PBF suporta uma tensão Dreno-Fonte (Vds) de até 60V.
Em qual faixa de temperatura o IRF7241PBF pode operar?
O IRF7241PBF pode operar em uma faixa de temperatura de -55°C a +175°C.
Qual o tipo de encapsulamento do IRF7241PBF?
O IRF7241PBF possui encapsulamento TO-220AB.