Infineon IRF7205TRPBF: MOSFET de Potência HexFET de Canal P
O IRF7205TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência HexFET de canal P de última geração, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho superior. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de -30V e uma corrente de dreno contínua (ID) de -4.6A, este componente é ideal para uma variedade de projetos eletrônicos, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de carga
- Aplicações de comutação em geral
Especificações Técnicas do IRF7205TRPBF:
- Tecnologia: HexFET
- Tipo de Canal: Canal P
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): -30V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): -4.6A
- Resistência On (RDS(on)): 70mΩ
- Carga de Porta (Qg): 27nC
- Tempo de Aumento (tr): 23ns
- Tempo de Queda (tf): 17ns
- Dissipação de Potência (PD): 2.1W
- Temperatura de Junção (TJ): -55°C a +150°C
- Encapsulamento: SO-8
Recursos e Benefícios:
O MOSFET IRF7205TRPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha confiável e eficiente para seus projetos:
- Baixa resistência On (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta velocidade de comutação: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral.
- Baixa carga de porta (Qg): Permite o uso de drivers de porta menores e mais eficientes.
- Encapsulamento SO-8: Compacto e fácil de montar em placas de circuito impresso.
- Robustez e confiabilidade: Projetado para suportar condições operacionais exigentes.
Aplicações Típicas:
O IRF7205TRPBF é adequado para uma ampla gama de aplicações, como:
- Fontes de Alimentação: Conversores DC-DC, inversores, carregadores de bateria.
- Controle de Motor: Acionamento de motores DC, controle de velocidade, robótica.
- Acionamento de Carga: Relés, solenoides, lâmpadas.
- Eletrônica de Potência: Amplificadores de áudio, sistemas de iluminação.
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