Infineon IRF7201TRPBF

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Infineon IRF7201TRPBF: MOSFET de Potência N-Channel de Alta Performance

O IRF7201TRPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de quinta geração que oferece excelente desempenho em uma variedade de aplicações. Com tecnologia HEXFET® avançada, este componente garante baixa resistência de condução (RDS(on)), comutação rápida e design robusto, tornando-o ideal para projetos que exigem eficiência e confiabilidade.

Especificações Técnicas do IRF7201TRPBF

  • Tensão Dreno-Source (VDS): 30V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID) @ TC=25°C: 7.3A
  • RDS(on) @ VGS=10V: 30mΩ
  • Carga do Gate (Qg): 19nC
  • Tempo de Subida (tr): 23ns
  • Tempo de Descida (tf): 13ns
  • Dissipação de Potência (PD): 2.5W
  • Temperatura de Junção (TJ): -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SO-8

Características e Benefícios do MOSFET IRF7201TRPBF

Este MOSFET de potência da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:

  • Baixa Resistência de Condução (RDS(on)): Minimiza as perdas de potência e aumenta a eficiência energética.
  • Comutação Rápida: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral do circuito.
  • Design Robusto: Alta capacidade de avalanche e resistência a curto-circuito, garantindo maior confiabilidade.
  • Encapsulamento SO-8: Compacto e fácil de montar em placas de circuito impresso.
  • Tecnologia HEXFET®: Processo de fabricação avançado que garante alta qualidade e desempenho consistente.

Aplicações do IRF7201TRPBF

O IRF7201TRPBF é um componente versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Aplicações automotivas
  • Eletrônicos de consumo

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