Infineon IRF7103TRPBF

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Infineon IRF7103TRPBF: MOSFET Duplo Canal N de Alta Performance

O IRF7103TRPBF da Infineon é um MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor) duplo canal N de alta performance, ideal para uma variedade de aplicações de comutação de energia. Com sua baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento compacto SOIC-8, este componente oferece excelente eficiência e economia de espaço em seus projetos eletrônicos.

Especificações Técnicas do IRF7103TRPBF

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 50V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 3A
  • RDS(on) (máx. @ ID, VGS): 130mΩ @ 3A, 10V
  • Tensão de Limiar de Porta (VGS(th)): 3V @ 250µA
  • Carga de Porta (Qg): 30nC @ 10V
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 290pF @ 25V
  • Potência Máxima: 2W
  • Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
  • Encapsulamento: SOIC-8

Aplicações do MOSFET IRF7103TRPBF

Graças à sua versatilidade, o IRF7103TRPBF pode ser utilizado em diversas aplicações, como:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relé
  • Aplicações automotivas

Benefícios do IRF7103TRPBF

Este MOSFET duplo canal N oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para seus projetos:

  • Baixa resistência de condução, resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
  • Alta capacidade de corrente, permitindo o controle de cargas significativas.
  • Encapsulamento compacto SOIC-8, ideal para aplicações com espaço limitado.
  • Ampla faixa de temperatura de operação, garantindo confiabilidade em diversos ambientes.
  • Excelente relação custo-benefício.

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