Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 200V, 18A, TO 220, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 18 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4.0 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.11 Ohm @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1000 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 50 pF |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 72 A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150 W |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Tecnologia | Power MOSFET |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF640NSTRLPBF?
O IRF640NSTRLPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF640NSTRLPBF?
A temperatura de operação do IRF640NSTRLPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e corrente contínua do IRF640NSTRLPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é 200V e a corrente contínua de Drain (Id) é 18A.