Descrição
Transistor MOSFET de canal N de potência, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e uso geral.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 200 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 9.2 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±16 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.2 Ohm @ Vgs = 10V, Id = 4.6A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 450 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 20 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Package | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF630NPBF pode suportar?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima é de 200V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF630NPBF?
O IRF630NPBF opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
Quais são as dimensões físicas do IRF630NPBF?
O IRF630NPBF é encapsulado em um TO-220AB.