Infineon IRF630NPBF

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Infineon IRF630NPBF: MOSFET de Potência N-Channel 200V 9.3A

O IRF630NPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta qualidade, ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 200V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 9.3A, este transistor HEXFET® de quinta geração oferece excelente desempenho em projetos de comutação de potência.

Especificações Técnicas do IRF630NPBF:

  • Tipo de MOSFET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 200V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID) @ 25°C: 9.3A
  • Tensão de acionamento (VGS): 10V
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 300mΩ @ 5.4A, 10V
  • Tensão Limiar de Gate (VGS(th)): 4V @ 250µA
  • Carga de Gate (Qg): 35nC @ 10V
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 575pF @ 25V
  • Dissipação de Potência (PD): 82W
  • Temperatura de Operação: -55°C a 175°C
  • Tipo de Encapsulamento: TO-220AB

Características e Benefícios do IRF630NPBF:

O IRF630NPBF se destaca por suas características avançadas que o tornam uma escolha confiável para diversas aplicações:

  • Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
  • Alta velocidade de comutação, ideal para aplicações que exigem resposta rápida.
  • Design robusto que garante confiabilidade e longa vida útil.
  • Facilidade de paralelismo, permitindo o uso de múltiplos MOSFETs para aumentar a capacidade de corrente.
  • Requisitos de acionamento simples, simplificando o design do circuito.

Aplicações do IRF630NPBF:

Graças à sua versatilidade, o IRF630NPBF pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Sistemas de iluminação
  • Aplicações automotivas

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